光刻膠分為兩種，一部分不容易蝕刻，一部分容易蝕刻，放入蝕刻機中產生蝕刻的效果，容易蝕刻的部分消失，不容易蝕的部分仍然存在，結果會導致蝕光刻膠讓硅片的一部分消失，讓硅片組成復雜的電路模板，相當于過年使用的的剪紙一樣。
3、反應離子刻蝕機，在平板電極間施加高頻電壓，產生數百微米厚的離子層，這些離子的濃度和均勻度都有很高的要求。
4、離子注入機，對半導體表面附近區域進行摻雜，控制電極之間的離子高速撞擊硅片，讓離子轟擊進入硅片里面，實現半導體的摻雜加工。
如果電極間的離子是五價磷離子，就可以構成P型半導體，如果電極間的離子三價硼離子，就可以構成N型半導體。
除此之外，反應離子蝕刻機還可以控制摻雜濃度，得到各種摻雜濃度的半導體。
5、單晶爐，熔融半導體材料，拉單晶，為后續半導體器件制造，提供單晶體的半導體晶坯。
所謂單晶，也就是硅片，典型的特點就是所有的原子處于同一個平面，而且一層一層疊起來，技術要求非常高，越大的晶圓制造難度越高。
6、晶圓劃片機，把晶圓切割成小片，而且要求晶圓的原子在同一平面
7、晶片減薄機，通過拋磨，把晶片厚度減薄，這是機械加工的范疇，也就是利用數控機器使用刀片緩慢切割，精度原子級別。
8、氣相外延爐，讓單晶襯底一層一層原子緩慢增長，形成讓單晶生長的基礎結構。
9、分子束外延系統，在襯底表面吸引熔融硅離子，在合適的條件下，硅離子會按照晶軸方向逐層生長，冷卻后形成單晶。
10、氧化爐，對半導體材料進行氧化處理，使得半導體為氧化成二氧化硅，它是一種絕緣材料。
11、低壓化學氣相淀積系統，把化學反應劑的蒸氣引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜。
12、等離子體增強化學氣相淀積系統，利用輝光放電，讓等離子電離后在硅片襯底上進行化學反應，沉積半導體薄膜材料。
13、磁控濺射臺，在設備內部形成正交電磁場，把將電子束縛在加工目標表面特定區域，實現高離子密度和高能量的電離，讓特定原子在基片上形成薄膜。
14、化學機械拋光機，通過機械研磨和化學溶解的綜合作用，半導體進行研磨拋光。
15、引線鍵合機，把半導體芯片上的輸出點與外面封裝管腳用導電金屬線鏈接起來，如果是高端芯片，一般是用黃金作為連接材料，這也是黃金可以作為貴重金屬的重要原因。
16、探針測試臺，通過探針與半導體器件的引腳接觸，進行電學測試，檢測半導體的性能指標是否符合設計性能要求。
方浩一邊查閱以前自己記載的資料，一邊利用自己掌握的知識進行分析，列出這些設備所需要攻克的技術，思索著如何去實現它。