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                    筆趣閣 > 科幻小說 > 科技入侵現代 > 第127章 萊比錫貿易博覽會

                    第127章 萊比錫貿易博覽會(1 / 4)

                    林燃急著推海運標準,而且要把亞太地區的優先級排在如此高的位置,非常重要的一個原因就是百越那邊很快就要全方面開打了。

                    后世看資料會告訴你61年就開始了。

                    實際上阿美莉卡親自下場,一直要等到1964年的時候,在峴港登陸,然后帶著一大幫小兄弟一起開干。

                    從高麗到百越,霓虹作為供應商,只出物資不出兵的那種,相當于吃了兩波戰爭紅利。

                    霓虹通過阿美莉卡的基地和工業訂單在造船、汽車、電子這三個領域大發紅利,是百越戰爭期間的最大贏家。

                    而高麗派兵參戰并承接軍事工程項目,出口額在1960年代增長數倍。

                    除了霓虹和高麗外,第三個受益者就是香江。

                    香江作為鄰近的自由港,成為阿美莉卡后勤補給和休假的熱門地點。

                    阿美莉卡軍隊采購物資的部分訂單流向了香江的制造業,主要是紡織品、服裝和電子產品。

                    從統計數據可以看出,整個60年代,香江對阿美莉卡的出口占其總出口的比重從20%左右上升至40%以上,基本上都直接得益于越戰。

                    提前完成整個亞太地區唯一一個國際標準化海港的建設,能夠幫助香江在越戰中吸收到來自阿美莉卡更多的訂單。

                    除了海運港口改造外,林燃和麥克納馬拉的關系同樣重要。

                    香江多吃,霓虹就少吃。

                    也就是霓虹不知道越戰馬上要全面擴大化,老美要親自在峴港下場了。

                    霓虹要是知道,作為吃過一波戰爭紅利的戰后經濟體,估計倒貼錢都得趕快把橫濱、東京、大阪這些港口給改造了。

                    “投產一代,預研一代。”

                    半導體研究組的廠房里,貼著這樣的字樣。

                    這是他們制定下來的標準。

                    “當然,錫九,我很清楚樹莓派的材料肯定不是鍺晶體管,它也許是德州儀器在50年代研發出來的硅晶體管。

                    也有可能是其他什么我們所不知道的材料。

                    在物理特性上,硅晶體管也更適合。”謝希德說。

                    作為51區2組的固體物理學家,謝希德和黃昆主要負責從理論上做指導。

                    有了樹莓派提供算力,他們在理論上如魚得水。

                    發揮出了一加一大于二的效果。

                    此時別說華國只能造鍺晶體管,就連毛子也只能造鍺晶體管。

                    或者說在當下這個時間節點,全球的半導體技術仍然是以鍺晶體管為主,硅晶體管幾乎只有德州儀器能夠商業化大規模生產。

                    此時無論是索尼的tr-63晶體管收音機還是蘇俄的spido收音機又或者是阿美莉卡自己的regencytr-1,毫無例外,都用的是鍺晶體管。

                    而吳錫九想要跳過鍺晶體管,直接進入到硅晶體管。

                    黃昆打斷道:“錫九,硅晶體管是下一代我們要研發的材料。

                    現在和硅晶體管比起來,我們優化過去的工藝反而更加現實。

                    我和謝教授正在從理論層面計算出區域熔煉法的參數,這樣我們能直接提煉高純度的鍺晶體,也是為后續硅的提純做準備。”

                    謝希德補充道:“王教授從《journalofmetals》里找到了威廉·普凡提出的區域熔煉法。

                    我們從他的原始論文里提取分配系數和擴散模型,結合鍺的熔點、熱導率等物理性質進行了研究。

                    目前已經復現了他的理論曲線,證明在我們后續要優化的工藝中,這個理論是具備適用性的。

                    包括最佳提純次數,通過麻煩數學組的同事們幫忙構建卷積參數模型,確定了最小化雜質濃度需要的提純次數是3到5次之間。”

                    由謝希德和黃昆帶隊,分配來這工作的華國科學院數學所和物理所的同事們配合,大家從分配系數、擴散動力學和熱力學入手,建立數學模型。

                    靠著樹莓派的超強計算能力,他們成功通過數值模擬和優化算法快速推導出了鍺晶體提純的最佳工藝參數,包括了熔區速度1-2mm/min,3-5次提純等。

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