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                    筆趣閣 > 玄幻小說 > 重燃2003 > 第1140章 學術皇帝的誕生

                    第1140章 學術皇帝的誕生(5 / 7)

                    見他這么上道,卿云也是不客氣,“你要是有空就來聽聽,對你也是有好處的。”

                    科研助理往小了說,就是秘書,但往大了說,卻是實驗室的二老板。

                    劉瀏點了點頭,動作飛快的拆開餅干開炫。

                    檸檬味的,吃起來最快。

                    他又不傻,在這個實驗室里,他將有機會接觸到最前沿的科研動態,而且全是大佬級人物。

                    這對于他的職業發展無疑是一個巨大的機遇。

                    卿云笑了笑,讓他慢慢吃,別噎著,他們晚點去也是無所謂的,讓那群老頭等幾分鐘也行。

                    劉瀏剛想說好大的臉,仔細想想好像也是這么個道理。

                    作為一個較為成功的年輕人,他很清楚,老同志的臉要護住,這是職場第一鐵律,但是老同志的臉又不能完全給,否則會倚老賣老。

                    而卿云作為這個‘卿云實驗室’的主任,尊重老同志是應該的,但偶爾事務繁忙讓老同志等等也是說得過去的。

                    好吧,這個實驗室架構里,院士,并沒有多稀奇的。

                    幾十個院士坐鎮的地方,聲勢浩大是浩大,但什么東西一多,也就沒法談什么特殊地位了。

                    但是讓劉瀏萬萬沒想到的事情發生了。

                    他原本以為卿云的這個會,是和院士的研討會或者交流會。

                    但現在坐在這里,他感覺自己像是在幻境一般。

                    這哪里是研討或者交流

                    這特么的如同他讀博時的‘每周’不定時組會!

                    而且,自己那便宜學生卿云,此時坐在會議室大長桌的頂端,如同實驗室大老板一般。

                    好吧,也確實是大老板,卿云的頭銜是實驗室主任。

                    可看見一個個院士向卿云匯報本周進度的時候,他還是覺得這個世界太荒誕了。

                    就差ppt了。

                    這種模式,完全是各個院士把他們自己當做實驗室小導,而卿云是指明方向的大導一般。

                    更讓他覺得難以置信的是,無論是卿云還是面前一個個德高望重的院士,都覺得是理所當然一般。

                    半導體方面的就不說了,他聽得出來,卿云的指向性很明白。

                    各個環節的發展都是正序推進,也就是說有國外的先發經驗可以參考。

                    但什么船舶專業這小王八蛋也都能插一手,這就讓劉瀏覺得眼角直抽搐了。

                    臺上的卿云此刻總結到,“鄒院,碳化硅材料有卓越的耐高電壓、高頻、高溫特性,我覺得可以及早布置下去,讓海軍技術研究院的人提前參與進來。

                    這是我們最快也是最直接的終端用戶,他們的需求是第一位的。”

                    那邊被點名的鄒院聞言也是喜笑顏開,“沒問題,我立刻聯系老張他們。

                    按照你的說法,碳化硅材料的禁帶寬度為3.26ev,相較于硅的1.12ev,允許碳化硅器件在更高的溫度下穩定運行,能保證我們的器件在承受高頻的電磁攻擊下不發生擊穿,那么確實在軍艦的電子儀器系統中將發揮巨大的作用。”

                    坐在另一邊的大王先生王陽明也是頷首,“碳化硅具有2倍于硅的飽和電子漂移速率,導致其器件在關斷過程中不產生電流拖尾現象,能夠提高元件的開關速度,是硅開關速度的3-10倍。

                    這使得碳化硅在軍艦的雷達系統、通信設備等需要高速切換的電子設備中表現出色。”

                    不過材料學泰斗嚴東升此時卻皺起了眉頭,“碳化硅好是好,但制備存在很大的難度。

                    生長速度慢,一周才能生長2厘米,材料晶型多樣,存在超過200種相似的晶型,需要精確的材料配比、熱場控制和經驗積累,才能在高溫下制備出無缺陷、皆為4h晶型的可用碳化硅襯底。

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