二樓書房。
方鴻在文檔里分別建立了半導體材料和半導體設備兩大分類，而后再進一步進行細分，對應到要投的產業并做好資本開支的分配比例。
半導體材料主要包括“晶圓制造材料”和“封裝材料”兩個大類別。
其中晶圓制造材料又分為硅片、掩膜版、光刻膠、拋光材料、特種氣體、靶材等。
各大材料的應用具體來看。
硅晶環節主要是用到了硅片；清洗環節會用到高純度的特種氣體或者試劑；沉積環節會用到靶材；涂膠環節會用到光刻膠；曝光環節會用到掩膜版；顯影刻蝕環節會用到高純度試劑；薄膜生長環節會用到前驅體和靶材；拋光環節會用到拋光液和拋光墊。
封裝材料包括封裝基板、引線框架、鍵合絲、塑封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料和其它封裝材料。
其中貼片環節用到的是封裝基板和引線框架；引線鍵合環節用到的鍵合絲；模塑環節用到的是硅微粉和塑封料；電鍍環節用到了硅片、氣體掩膜版等。
可以說，每一個環節每一種材料都要對應一家企業，當然大公司也可能掌握多個環節、多種材料的研發與生產。
方鴻建立好文檔開始逐一編輯細化，把這些弄好了，到時候交給華煜，讓他照著檔案規劃的內容去執行。
在眾多半導體材料里面，其主要的才有七大類是最關鍵材料，分別為硅片、特種氣體、光掩模、濕電子試劑、拋光材料、光刻膠、濺射靶材。
具體來看。
硅片
硅材料其實廣泛可取，平時的沙石里面的二氧化硅在經過純化后可以制成98純度的硅，高純度的硅則需要進一步提純變成9個n或者11個n，也就是99999999999，小數點后面9個9或者11個9這種級別純度的超純材料。
需要把這種超純的多晶硅放在1400度的石英坩堝中融化，并在其中摻雜硼或者磷元素來改變其導電特性，再經過單晶生長制備成特定的單晶，然后經過切片等一系列的研磨拋光、外延、鍵合等流程工藝，那么半導體硅片材料就差不都做好了。
特種氣體
電子特氣是集成電路平板顯示器件、太陽電池、光纖光纜這些行業不可或缺的基礎性的材料，根據電子特氣所參與的工藝環節的不同還可以細分六大類化學氣相沉積、離子注入、光刻膠印刷、擴散、刻蝕、摻雜。
光掩模
其主要是由透光的基板，有樹脂或玻璃以及不透光的遮光膜，在光掩模的制造過程當中，它的直接材料成本占到了67，而基板就占這個直接材料的90，整個基板占到了其總成本的60左右，其它的一些輔助材料占比小一些。
濕電子試劑
即高純度的試劑，根據用途不同濕電子化學品可以分為超凈高純的試劑，及其以光刻膠配套試劑為代表的功能性化學品。
濕電子化學品在各個流程中主要應用在清洗、光刻、刻蝕上，在光刻這道工序上主要應用在硅片前處理云膠、顯影、剝離這些環節，在晶圓加工上主要是應用在高純度的拋光清洗上，其中用到硫酸、雙氧水、氨水、顯影液等。
拋光材料
這是通過化學腐蝕或者機械研磨兩種方式把晶圓表面進行平坦化工藝的總稱。它的一個技術難點就是需要制成在035微米以下。
諸如機械拋光在半導體的前道加工和后端制成上都有應用，如淺溝槽隔離、層間介質拋光、金屬內介質拋光等。
拋光系統的組成包括拋光設備、拋光液、拋光墊等。其中像拋光墊是由一種疏松的多孔材料制成，一般如聚亞胺酯類，有一定的彈性能夠吸收一定的拋光液，而拋光液是由磨料h值調節劑、氧化劑、分散劑、表面活性劑混合而成。
光刻膠